Время работы:

с 9:30 до 18:00 по Мск

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

  • ГОСТ 19656.10-88.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь
    Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:

    1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов;

    2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов:

    а) метод измерительной линии с подвижным зондом;

    б) метод измерительной линии с фиксированным зондом;

    в) резонаторный метод

  • ГОСТ 19656.12-76.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления
    Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance
    Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления

  • ГОСТ 19656.13-76.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности
    Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный

  • ГОСТ 19656.14-79.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
    Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency
    Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты

  • ГОСТ 19656.15-84.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления
    Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений

  • ГОСТ 19656.16-86.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей
    Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме

  • ГОСТ 19834.0-75.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей

  • ГОСТ 19834.2-74.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;

    метод замещения;

    методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный

  • ГОСТ 19834.3-76.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
    Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения

  • ГОСТ 19834.4-79.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
    Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14