Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
-
Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
Semiconductor tunnel diodes. Methods for measuring peak point current, valley point current, peak point voltage, valley point voltage, projected peak point voltage
Настоящий стандарт распространяется на туннельные полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения параметров вольтамперной характеристики диода: пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора -
Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений
Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод.
Стандарт не распространяется на стабилитроны -
Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации
Reference diodes. Method of measuring stabilization voltage
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения напряжения стабилизации -
Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока
Rectifier diodes. Methods of measuring average forward voltage and average reverse current
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые выпрямительные диоды малой и средней мощности, полупроводниковые выпрямительные столбы и устанавливает метод измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока -
Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации
Reference diodes. Method of measuring of temperature coefficient of working voltage
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации -
Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости
Variable capacitance diodes. Method of measuring temperature coefficient of capacitance
Настоящий стандарт распространяется на варикапы, предназначенные для работы в диапазоне частот 0,25-1000 Гц, и устанавливает метод измерения температурного коэффициента емкости -
Варикапы. Метод измерения добротности
Variable capacitance diodes. Method for measuring the quality factor
Настоящий стандарт распространяется на варикапы емкостью более 4 пФ в диапазоне частот 0,25-1000 МГц и устанавливает два метода измерения добротности варикапов -
Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим
Semiconductor diodes. Reference zener diodes. Method for measuring warm up time
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые прецизионные стабилитроны, имеющие нормированную временную нестабильность напряжения стабилизации и устанавливает метод измерения времени выхода стабилитронов на режим tвых. и требования безопасности -
Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
Reference diodes and stabistors. Method for measuring time drift of working voltage
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и стабисторы и устанавливает метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации -
Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления
Reference diodes. Methods for measuring differential resistance
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения дифференциального сопротивления: на переменном токе; на постоянном токе
