Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Транзисторы
31.080.30. Транзисторы
-
Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума -
Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА -
Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора -
Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока
Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency
Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением -
Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений
Power bipolar transistors. Measurement methods
Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров
