Время работы:

с 9:30 до 18:00 по Мск

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Транзисторы

31.080.30. Транзисторы

1 2 3 4 5

  • ГОСТ 14949-69.

    отменён
    от: 22.03.2010

    Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения
    Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices

  • ГОСТ 15172-70.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров
    Transistors. List of basic and reference electrical parameters
    Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров

  • ГОСТ 16947-71.

    отменён
    от: 22.03.2010

    Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения
    Transistors type Гt701a for wide using equipment

  • ГОСТ 17466-80.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
    Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров

  • ГОСТ 18604.0-83.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
    Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений

  • ГОСТ 18604.1-80.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
    Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте

  • ГОСТ 18604.2-80.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
    Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах

  • ГОСТ 18604.3-80.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
    Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:

    с использованием резистивно-емкостного делителя;

    с использованием моста.

    Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.

    Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности

  • ГОСТ 18604.4-74.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора
    Transistors. Method for measuring collector reverse current
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА

  • ГОСТ 18604.5-74.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера
    Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА

1 2 3 4 5