Время работы:

с 9:30 до 18:00 по Мск

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКА

31. ЭЛЕКТРОНИКА

1 2 3 4 521 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3177 78 79 80 81

  • ГОСТ 19798-74.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Фотоэлементы. Общие технические условия
    Photocells. General specifications
    Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные фотоэлементы и фотоумножители, содержащие один каскад усиления, предназначенные для преобразования сигналов оптического излучения в электрические и изготавливаемые для нужд народного хозяйства и для экспорта

  • ГОСТ 19799-74.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик
    Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses
    Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители

  • ГОСТ 19834.0-75.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей

  • ГОСТ 19834.2-74.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;

    метод замещения;

    методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный

  • ГОСТ 19834.3-76.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
    Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения

  • ГОСТ 19834.4-79.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
    Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения

  • ГОСТ 19834.5-80.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
    Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении

  • ГОСТ 20003-74.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.

    Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

    Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок

  • ГОСТ 20186-74.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Индикаторы вакуумные люминесцентные. Основные параметры
    Vacuum luminescent display tubes. Basic parameters
    Настоящий стандарт распространяется на вакуумные сегментные люминесцентные однозарядные индикаторы и устанавливает значения основных параметров

  • ГОСТ 20215-84.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
    Semiconductor microwave diodes. General specifications
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.

    Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды

1 2 3 4 521 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3177 78 79 80 81