Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОТЕХНИКА → Полупроводниковые материалы
29.045. Полупроводниковые материалы
-
Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей
Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature
Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции -
Кремний технический. Технические условия
Silicon technical. Specifications
Настоящий стандарт распространяется на кремний, получаемый путем восстановительной плавки кварцита в дуговых электропечах, предназначенный для изготовления кремнийсодержащих сплавов, кремнийорганической продукции, полупроводникового кремния, а также для спеццелей -
Кремний кристаллический. Общие требования к методам химического анализа
Crystal silicon. General requirements for methods of chemical analysis
Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам химического анализа кристаллического кремния -
Кремний кристаллический. Методы определения алюминия
Crystal silicon. Methods of aluminium determination
Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии -
Кремний кристаллический. Методы определения железа
Crystal silicon. Methods of iron determination
Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения железа (при массовой доле железа от 0,3 до 1,6 %) в кристаллическом кремнии -
Кремний кристаллический. Методы определения кальция
Crystal silicon. Methods of calcium determination
Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии -
Кремний кристаллический. Методы определения титана
Crystal silicon. Methods of titanium determination
Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения титана (при массовой доле титана от 0,10 до 0,40 %) в кристаллическом кремнии -
Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия
Monocrystalline silicon in ingots. Specifications
Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник -
Материалы проводниковые. Термины и определения
Conductor materials. Terms and definitions
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области проводниковых материалов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе -
Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров
Semiconductor materials. Terms and definitions
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов